Screen Library纳米集成电路FinFET器件物理与模型
Saved in:
| Main Authors: | |
|---|---|
| Group Author: | |
| Published: |
机械工业出版社
|
| Publisher Address: | 北京 |
| Publication Dates: | 2022 |
| Literature type: | Book |
| Language: | Chinese |
| Series: |
集成电路科学与工程丛书 |
| Subjects: | |
| Carrier Form: | 13,238页: 图 ; 24cm |
| ISBN: | 978-7-111-69481-6 |
| Index Number: | TN405 |
| CLC: | TN405 |
| Call Number: | TN405/4260 |
| Contents: | 本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型，系统讲解FinFET器件电子学，介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。 |