氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
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Main Authors: | ; ; |
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Published: |
科学出版社
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Publisher Address: | 北京 |
Publication Dates: | 2013 |
Literature type: | Book |
Language: | Chinese |
Series: |
半导体科学与技术丛书 |
Subjects: | |
Carrier Form: | 11,303页: 图 ; 25cm |
ISBN: | 978-7-03-036717-4 |
Index Number: | TN304 |
CLC: |
TN304 TN103 |
Call Number: | TN304/4361 |
Contents: | 本书以作者多年的研究成果为基础,系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法,重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章,内容包括:氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理,HEMT材料的电学性质,AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析,GaNHEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析,GaN增强型HEMT器件和集成电路,GaN MOS-HEMT器件,最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。 |