Screen Library氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
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| Main Authors: | ; ; |
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| Published: |
科学出版社
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| Publisher Address: | 北京 |
| Publication Dates: | 2013 |
| Literature type: | Book |
| Language: | Chinese |
| Series: |
半导体科学与技术丛书 |
| Subjects: | |
| Carrier Form: | 11,303页: 图 ; 25cm |
| ISBN: | 978-7-03-036717-4 |
| Index Number: | TN304 |
| CLC: |
TN304 TN103 |
| Call Number: | TN304/4361 |
| Contents: | 本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。 |