Screen Library硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究 = Investigation on the interface and surface reconstruction of bufferlayer of high k oxide on silicon surface
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| Main Authors: | |
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| Published: |
江苏大学出版社的
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| Publisher Address: | 镇江 |
| Publication Dates: | 2018 |
| Literature type: | Book |
| Language: | Chinese |
| Series: |
新材料研究系列丛书 |
| Subjects: | |
| Carrier Form: | 123页: 图 ; 21cm |
| ISBN: | 978-7-5684-1030-4 |
| Index Number: | O48 |
| CLC: | O48 |
| Call Number: | O48/4903 |
| Contents: |
本书由江苏高校品牌专业建设工程资助项目(TAPP,项目负责人：朱锡芳，PPZY2015B129)、“十三五”江苏省重点学科项目-电气工程重点建设学科、2016年度江苏省高校重点实验室建设项目-特种电机研究与应用重点建设实验室、常州市智能感知与无人机应用技术研究重点实验室(CM20173003)、常州市新能源材料国际联合实验室(YN1710)、常州工学院自然科学基金项目、江苏省产学研合作项目(BY2018150)资助出版 有书目（第113-123页） 本书分为七章：第一章绪论、第二章Sr／Si(100)再构表面的制备、第三章Si(100)_2×3表面的几何结构及初始氧化研究、第四章Sr／Si(100)-2ב1’再构表面及原子的动态移动、第五章Sr／Si(111)-3×2表面结构及原子迁移、第六章TiSi₂/Si(100)纳米岛的STM研究、第七章总结及展望 |