氧化镓半导体器件 = Gallium oxide semiconductor devices
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Published: |
西安电子科技大学出版社
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Publisher Address: | 西安 |
Publication Dates: | 2022 |
Literature type: | Book |
Language: | Chinese |
Series: |
宽禁带半导体前沿丛书 |
Subjects: | |
Carrier Form: | 396页: 图 ; 25cm |
ISBN: | 978-7-5606-6430-9 |
Index Number: | TN303 |
CLC: | TN303 |
Call Number: | TN303/4047 |
Contents: |
国家出版基金项目 本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料,在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章,第1-4章(氧化镓材料部分)介绍了氧化镓半导体材料的基本结构,单晶生长和薄膜外延方法,电学特性,氧化镓材料与金属、其他半导体的接触,氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容;第5-7章(氧化镓器件部分)介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程,氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向,氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。 |