模拟CMOS集成电路设计 = Design of analog CMOS integrated circuits

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: 美 拉扎维 Razavi, Behzad ((美)毕查德·拉扎维(Behzad Razavi)著)
Group Author: 陈贵灿 (译)
Published: 西安交通大学出版社
Publisher Address: 西安
Publication Dates: 2018
Literature type: Book
Language: Chinese
Edition: 2版
Subjects:
Carrier Form: 14,10,724页: 图 ; 26cm
ISBN: 978-7-5693-0992-8
Index Number: TN432
CLC: TN432.02
Call Number: TN432.02/5052-2
Contents: 国外名校最新教材精选
有索引
本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材,介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解该技术的最新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。
Note: 译者还有:程军、张瑞智、张鸿