记忆脑科学 = Why we forget and how to remember better

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Bibliographic Details
Main Authors: (美) 布德森 Budson, Andrew E. (著); (美) 肯辛格 Kensinger, Elizabeth A. (著)
Group Author: 胡小锐 (译)
Published: 中信出版集团股份有限公司
Publisher Address: 北京
Publication Dates: 2023
Literature type: Book
Language: Chinese
Subjects:
Carrier Form: 13,357页: 图 ; 21cm
ISBN: 978-7-5217-6035-4
Index Number: B842
CLC: B842.3-49
Call Number: B842.3-49/4224
Contents: 封面其他题名信息:助力学习、工作、考试的高效记忆法
版权页英文题名:Why we forget and how to remember better: the science behind memory
本书不仅可以了解我们的记忆是如何创造、存储和找回的,还将了解一些神经疾病,比如阿尔茨海默病、多发性硬化、大脑创伤等是如何影响大脑的记忆的。