Screen LibraryTiO2纳米管阵列的沉积改性与物性研究
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| Main Authors: | ; |
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| Published: |
合肥工业大学出版社
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| Publisher Address: | 合肥 |
| Publication Dates: | 2012 |
| Literature type: | Book |
| Language: | Chinese |
| Subjects: | |
| Carrier Form: | 144页: 图 ; 24cm |
| ISBN: | 978-7-5650-0708-8 |
| Index Number: | TB383 |
| CLC: | TB383 |
| Call Number: | TB383/2142 |
| Contents: |
正题名中的“TiO”有右下角标“2” 本书从有利于后续功能化改性的纳米管阵列的制备出发，通过掌握CdS及CdSe在TiO2纳米管内的沉积机理，实现其在纳米管内的可控沉积。然后将特定功函的金属沉积在CdSe/CdS/TiO2材料上。改性过程将窄带半导体材料的可控沉积、改性成分长效保护、异质结/Schottky结等多重技术结合起来，探求TiO2纳米管阵列改性材料的性能与各相关参数的关系及其电荷传输机制，将为纳米TiO2光催化剂、光电转换器件等的发展开辟一个新的方向，为设计和制备具有良好光电转换性能、光催化性能的器件和新型功能薄膜提供依据。 |