Screen Library氮化镓功率晶体管：器件、电路与应用
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| Main Authors: | |
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| Group Author: | ; |
| Published: |
机械工业出版社
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| Publisher Address: | 北京 |
| Publication Dates: | 2022 |
| Literature type: | Book |
| Language: | Chinese |
| Series: |
集成电路科学与工程丛书 |
| Subjects: | |
| Carrier Form: | 14,289页: 图 ; 24cm |
| ISBN: | 978-7-111-69552-3 |
| Index Number: | TN323 |
| CLC: | TN323 |
| Call Number: | TN323/2922-1 |
| Contents: |
版权页英文题名：GaN transistors for efficient power conversion 有书目 本书共17章，第1章概述了氮化镓（GaN）技术；第2章为GaN晶体管的器件物理；第3章介绍了GaN晶体管驱动特性；第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计；第5章讨论了GaN晶体管的建模和测l量；第6章介绍了GaN晶体管的散热管理；第7章介绍了硬开关技术；第8章介绍了软开关技术和变换器；第9章介绍了GaN晶体管射频性能；第10章介绍了DC-DC功率变换；第11章讨论了多电平变换器设计；第12章介绍了D类音频放大器；第13章介绍了GaN晶体管在激光雷达方面的应用；第14章介绍了包络跟踪技术；第15章讨论了高谐振无线电源；第16章讨论了GaN晶体管的空间应用；第17章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。 |
| Note: | 著者还有：迈克尔·德·罗伊、约翰·斯其顿、戴维·罗伊施、约翰·格拉泽 |