氮化镓功率晶体管:器件、电路与应用
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Main Authors: | |
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Group Author: | ; |
Published: |
机械工业出版社
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Publisher Address: | 北京 |
Publication Dates: | 2022 |
Literature type: | Book |
Language: | Chinese |
Series: |
集成电路科学与工程丛书 |
Subjects: | |
Carrier Form: | 14,289页: 图 ; 24cm |
ISBN: | 978-7-111-69552-3 |
Index Number: | TN323 |
CLC: | TN323 |
Call Number: | TN323/2922-1 |
Contents: |
版权页英文题名:GaN transistors for efficient power conversion 有书目 本书共17章,第1章概述了氮化镓(GaN)技术;第2章为GaN晶体管的器件物理;第3章介绍了GaN晶体管驱动特性;第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计;第5章讨论了GaN晶体管的建模和测l量;第6章介绍了GaN晶体管的散热管理;第7章介绍了硬开关技术;第8章介绍了软开关技术和变换器;第9章介绍了GaN晶体管射频性能;第10章介绍了DC-DC功率变换;第11章讨论了多电平变换器设计;第12章介绍了D类音频放大器;第13章介绍了GaN晶体管在激光雷达方面的应用;第14章介绍了包络跟踪技术;第15章讨论了高谐振无线电源;第16章讨论了GaN晶体管的空间应用;第17章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。 |
Note: | 著者还有:迈克尔·德·罗伊、约翰·斯其顿、戴维·罗伊施、约翰·格拉泽 |