HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究
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Main Authors: | |
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Published: |
东北大学出版社
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Publisher Address: | 沈阳 |
Publication Dates: | 2019 |
Literature type: | Book |
Language: | Chinese |
Subjects: | |
Carrier Form: | 106页: 图 ; 26cm |
ISBN: | 978-7-5517-2274-2 |
Index Number: | O782 |
CLC: | O782 |
Call Number: | O782/6444 |
Contents: | 本书介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法,内容包括采用低温缓冲层技术生长自支撑GaN单晶、在SiC的C面直接生长自支撑GaN单晶、高温退火法表征GaN中的位错、采用高温退火衬底生长自支撑GaN单晶、采用两步腐蚀衬底生长自支撑GaN单晶等。 |