Screen LibraryHVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究
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| Main Authors: | |
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| Published: |
东北大学出版社
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| Publisher Address: | 沈阳 |
| Publication Dates: | 2019 |
| Literature type: | Book |
| Language: | Chinese |
| Subjects: | |
| Carrier Form: | 106页: 图 ; 26cm |
| ISBN: | 978-7-5517-2274-2 |
| Index Number: | O782 |
| CLC: | O782 |
| Call Number: | O782/6444 |
| Contents: | 本书介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法，内容包括采用低温缓冲层技术生长自支撑GaN单晶、在SiC的C面直接生长自支撑GaN单晶、高温退火法表征GaN中的位错、采用高温退火衬底生长自支撑GaN单晶、采用两步腐蚀衬底生长自支撑GaN单晶等。 |