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图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲

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Bibliographic Details
Main Authors: (日) 上田修 (著); (日) 山本秀和 (著)
Group Author: (日) 二川清 (编著); 李哲洋 (译)
Published: 机械工业出版社
Publisher Address: 北京
Publication Dates: 2024
Literature type: Book
Language: Chinese
Series: 集成电路科学与技术丛书
Subjects:
半导体工艺 > 图解
Carrier Form: 159页: ; 24cm
ISBN: 978-7-111-74962-2
Index Number: TN305
CLC: TN305-64
Call Number: TN305-64/2162
Contents: 机工通信
有书目
本书共分为四章，内容包括：半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。

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