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氮化镓晶体生长技术 = Technology of gallium nitride crystal growth

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Bibliographic Details
Main Authors: (日) 埃伦特劳特 Ellentraut, Dirk ((日)德克·埃伦特劳特(Dirk Ellentraut)，(德)埃尔克·迈斯纳(Elke Meissner)，(波)迈克尔·博科夫斯基(Michael Bockowski)著); (德) 迈斯纳 Meissner, Elke; (波) 博科夫斯基 Bockowski, Michael
Group Author: 王党会 (译); 许天旱 (译)
Published: 中国石化出版社
Publisher Address: 北京
Publication Dates: 2021
Literature type: Book
Language: Chinese
Subjects:
氮化镓 > 晶体生长 > 工艺学
Carrier Form: 232页: 图 ; 26cm
ISBN: 978-7-5114-6521-4
Index Number: O614
CLC: O614.37
O782
Call Number: O614.37/4122
Contents: 西安石油大学“优秀学术著作出版基金”资助项目
有书目
本书内容涵盖了第三代宽禁带半导体材料GaN晶体的生长方法、原理及实现技术，包括GaN晶体的应用前景、GaN晶体的卤化物气相外延生长技术、籽晶法生长Gain晶体、真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、卤化物气相外延生长非极性与半极性CaN晶体、金属有机化学气相外延的高速率生长CaN晶体、热氨法生长GaN晶体、高/低压环境下的GaN晶体生长技术、Na流量法生长大尺寸GaN技术简介及GaN晶体的表征方法等内容。

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