材料结构与物性研究

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Bibliographic Details
Main Authors: 孙霄霄 (孙霄霄, 张丹著); 张丹
Published: 冶金工业出版社
Publisher Address: 北京
Publication Dates: 2018
Literature type: Book
Language: Chinese
Subjects:
Carrier Form: 137页: 图 ; 24cm
ISBN: 978-7-5024-7695-3
Index Number: TB303
CLC: TB303
Call Number: TB303/1411
Contents: 本书受到牡丹江师范学院学术专著出版基金资助
本书采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物(BiI3、Li3Bi、SbI3、AsI3)和过渡金属化合物(Mo2BC、Mo3Al2C)在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。