用于集成电路仿真和设计的FinFET建模:基于BSIM-CMG标准
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Main Authors: | |
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Group Author: | ; ; |
Published: |
机械工业出版社
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Publisher Address: | 北京 |
Publication Dates: | 2020 |
Literature type: | Book |
Language: | Chinese |
Series: |
微电子与集成电路先进技术丛书 |
Subjects: | |
Carrier Form: | 239页: 图 ; 24cm |
ISBN: | 978-7-111-65981-5 |
Index Number: | TN402 |
CLC: | TN402 |
Call Number: | TN402/4834 |
Contents: |
版权页英文题名:FinFET mdeling for IC simulation and design: using the BSIM-CMG standard 本书从三维结构的原理、物理效应入手,讨论了FinFET紧凑模型产生的背景、原理、参数以及实现方法;同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。 |
Note: | 著者还有:(美)达森·杜安·卢(Darsen Duane Lu)、(印)史利南库马尔·维努戈帕兰(Sriramkumar Venugopalan)、(印)苏拉布·坎德瓦尔(Sourabh Khandelwal)、(美)胡安·帕布鲁·杜阿尔特(Juan Pablo Duarte)、(加)纳韦德·帕瓦多斯(Navid Paydavosi)等7人 |