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用于集成电路仿真和设计的FinFET建模:基于BSIM-CMG标准

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Bibliographic Details
Main Authors: 印 楚罕 Chauhan, Yogesh Singh (著)
Group Author: 陈铖颖 (译); 张宏怡 (译); 荆有波 (译)
Published: 机械工业出版社
Publisher Address: 北京
Publication Dates: 2020
Literature type: Book
Language: Chinese
Series: 微电子与集成电路先进技术丛书
Subjects:
Carrier Form: 239页: 图 ; 24cm
ISBN: 978-7-111-65981-5
Index Number: TN402
CLC: TN402
Call Number: TN402/4834
Contents: 版权页英文题名:FinFET mdeling for IC simulation and design: using the BSIM-CMG standard
本书从三维结构的原理、物理效应入手,讨论了FinFET紧凑模型产生的背景、原理、参数以及实现方法;同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。
Note: 著者还有:(美)达森·杜安·卢(Darsen Duane Lu)、(印)史利南库马尔·维努戈帕兰(Sriramkumar Venugopalan)、(印)苏拉布·坎德瓦尔(Sourabh Khandelwal)、(美)胡安·帕布鲁·杜阿尔特(Juan Pablo Duarte)、(加)纳韦德·帕瓦多斯(Navid Paydavosi)等7人