纳米级系统芯片单粒子效应研究

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Bibliographic Details
Main Authors: 贺朝会 (主编); 杜雪成 (主编); 杨卫涛 (主编); 杜小智 (主编)
Published: 科学出版社
Publisher Address: 北京
Publication Dates: 2021
Literature type: Book
Language: Chinese
Subjects:
Carrier Form: 191页: 图 ; 24cm
ISBN: 978-7-03-067328-2
Index Number: TN430
CLC: TN430.3
Call Number: TN430.3/4848
Contents: 有书目(第181-191页)
本书主要介绍28nm系统芯片(SoC)的单粒子效应,内容包括SoC单粒子效应研究现状与测试系统的研制,SoC的a粒子、重离子、质子和中子单粒子效应实验研究,SoC单粒子效应软件故障注入、模拟故障注入、软错误故障分析、故障诊断和SC抗单粒子效应软件加固方法研究;提出XilinxZyng-7000SoC单粒子效应错误类型和单粒子效应规律;计算不同模块的单粒子效应截面和软错误率;揭示SoC的单粒子效应敏感模块和敏感区域分布特征定量分析SC系统、子系统和不同模块的故障频率、不可用度和平均故障间隔时间;提出几种SoC单粒子效应加固方法,并进行实验验证。
Note: 著者还有:杜雪成、杨卫涛、杜小智