Screen Library宽禁带半导体功率器件：材料、物理、设计及应用
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| Group Author: | |
| Published: |
机械工业出版社
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| Publisher Address: | 北京 |
| Publication Dates: | 2024 |
| Literature type: | Book |
| Language: | Chinese |
| Series: |
半导体与集成电路关键技术丛书 |
| Subjects: | |
| Carrier Form: | 331页: 图 ; 24cm |
| ISBN: | 978-7-111-73693-6 |
| Index Number: | TN303 |
| CLC: | TN303 |
| Call Number: | TN303/7724-4 |
| Contents: |
CMP BOOKS ELSEVIER 版权页英文题名：Wide bandgap semiconductor power devices: materials, physics, design, and applications 本书讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 |