宽禁带半导体功率器件:材料、物理、设计及应用
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Main Authors: | |
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Group Author: | |
Published: |
机械工业出版社
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Publisher Address: | 北京 |
Publication Dates: | 2024 |
Literature type: | Book |
Language: | Chinese |
Series: |
半导体与集成电路关键技术丛书 |
Subjects: | |
Carrier Form: | 331页: 图 ; 24cm |
ISBN: | 978-7-111-73693-6 |
Index Number: | TN303 |
CLC: | TN303 |
Call Number: | TN303/7724-4 |
Contents: |
CMP BOOKS ELSEVIER 版权页英文题名:Wide bandgap semiconductor power devices: materials, physics, design, and applications 本书讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性,以及功率应用中不同类型的器件结构,同时讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造,以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计,以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 |