碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术

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Bibliographic Details
Main Authors: 高远 (高远,陈桥梁编著); 陈桥梁
Published: 机械工业出版社
Publisher Address: 北京
Publication Dates: 2021
Literature type: Book
Language: Chinese
Subjects:
Carrier Form: 14,311页: 图 ; 24cm
ISBN: 978-7-111-68175-5
Index Number: TN303
CLC: TN303
Call Number: TN303/0233-1
Contents: 电力电子新技术系列图书
有书目
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与应对——共模电流,共源极电感的影响与应对,以及驱动电路设计。