碳化硅器件工艺核心技术
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Group Author: | ; ; |
Published: |
机械工业出版社
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Publisher Address: | 北京 |
Publication Dates: | 2024 |
Literature type: | Book |
Language: | Chinese |
Series: |
半导体与集成电路关键技术丛书 |
Subjects: | |
Carrier Form: | 16,411页: 图,照片 ; 24cm |
ISBN: | 978-7-111-74188-6 |
Index Number: | TN303 |
CLC: | TN303 |
Call Number: | TN303/3122 |
Contents: |
机工电子 版权页英文题名:Advancing silicon carbide electronics technology 本书共9章,以碳化硅(SiC)器件工艺为核心,重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术,以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等,每一部分都涵盖了上百篇相关文献,以反映这些方面的最新成果和发展趋势。 |