Screen Library碳化硅器件工艺核心技术
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| Group Author: | ; ; |
| Published: |
机械工业出版社
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| Publisher Address: | 北京 |
| Publication Dates: | 2024 |
| Literature type: | Book |
| Language: | Chinese |
| Series: |
半导体与集成电路关键技术丛书 |
| Subjects: | |
| Carrier Form: | 16,411页: 图，照片 ; 24cm |
| ISBN: | 978-7-111-74188-6 |
| Index Number: | TN303 |
| CLC: | TN303 |
| Call Number: | TN303/3122 |
| Contents: |
机工电子 版权页英文题名：Advancing silicon carbide electronics technology 本书共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。 |